プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：西川惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000250285
Publication number (International publication number)：2002058995
Application date： Aug. 21, 2000
Publication date： Feb. 26, 2002
Summary：

【要約】【課題】プラズマ処理にかかるコストを低く抑えることができ、プラズマ密度を高くすることができ、プラズマ処理の能力を高くすることができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】対向配置された電極2、3の間を放電空間34として形成する。対向配置された電極2、3のうち少なくとも一方の電極2(又は電極3)の放電空間34側に誘電体32を設ける。放電空間34にプラズマ生成用ガスを供給すると共に電極2、3間に電圧を印加することによって大気圧近傍の圧力下で放電空間34に誘電体バリア放電を発生させるプラズマ処理装置に関する。電極2、3間に印加する電圧の波形を休止時間のない交番電圧波形とすると共にこの交番電圧波形の立ち上がり時間を100μsec以下とする。

Claim (excerpt)：

対向配置された電極の間を放電空間として形成し、対向配置された電極のうち少なくとも一方の電極の放電空間側に誘電体を設け、放電空間にプラズマ生成用ガスを供給すると共に電極間に電圧を印加することによって大気圧近傍の圧力下で放電空間に誘電体バリア放電を発生させるプラズマ処理装置において、電極間に印加する電圧の波形を休止時間のない交番電圧波形とすると共にこの交番電圧波形の立ち上がり時間を100μsec以下とすることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

B01J 19/08 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H05H 1/24

FI (5)：

B01J 19/08 H , H01L 21/205 , H05H 1/24 , H01L 21/302 B , H01L 21/302 H

F-Term (34)：

4G075AA22 , 4G075AA24 , 4G075BC01 , 4G075BC06 , 4G075BC10 , 4G075BD14 , 4G075BD24 , 4G075CA14 , 4G075CA47 , 4G075DA02 , 4G075EB01 , 4G075EB41 , 4G075EC21 , 4G075ED04 , 4G075ED06 , 4G075FB01 , 5F004AA01 , 5F004AA14 , 5F004AA16 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004BB24 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA26 , 5F004DB01 , 5F004DB13 , 5F004DB23 , 5F045AA08 , 5F045BB01 , 5F045DP23 , 5F045DQ15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

新規のイオウ含有原子団導入多孔質体、多孔質体の総表面へのイオウ含有原子団導入方法、及び電池用セパレ-タ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-043370 Applicant：日本バイリーン株式会社
表面処理品の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-014428 Applicant：積水化学工業株式会社
表面処理方法および表面処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-293688 Applicant：株式会社日立製作所

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