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J-GLOBAL ID：200903050990921779

光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法

Inventor：
尾坂 格

About 尾坂 格

, 
林 誠之

About 林 誠之


Applicant, Patent owner：
富士フイルム株式会社

About 富士フイルム株式会社


Agent (5)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  矢澤 清純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005240964
Publication number (International publication number)：2007059515
Application date： Aug. 23, 2005
Publication date： Mar. 08, 2007
Summary：
【課題】本発明の目的は、光電変換効率およびS/N比が高い光導電膜、光電変換素子、及び撮像素子(好ましくはカラーイメージセンサー)を提供する。【解決手段】下記一般式(1)で表される化合物を少なくとも一つ含む光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法、及び印加した素子。 一般式(1) 【化1】 式(1)中、Lは2価以上の連結基を表し、nは2以上の整数を表す、Aは一般式(2)で表される化学構造である。 一般式(2) 【化2】 式(2)中、X1〜X8は、置換もしくは無置換の炭素原子、または窒素原子を表す。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
下記一般式(1)で表される化合物を少なくとも一つ含むことを特徴とする光電変換膜。 一般式(1)
IPC (3)：
H01L 51/42 ,  H01L 31/10 ,  H01L 27/146
FI (3)：
H01L31/04 D ,  H01L31/10 A ,  H01L27/14 E
F-Term (17)：
4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA15 ,  4M118CA27 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  4M118FA06 ,  5F049MA02 ,  5F049MB08 ,  5F049NA19 ,  5F049NB03 ,  5F049NB05 ,  5F049WA03 ,  5F051AA11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (8)
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