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J-GLOBAL ID:200903042882187616

トップエミッション型有機EL素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 谷 義一 ,  阿部 和夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004178792
Publication number (International publication number):2006004721
Application date: Jun. 16, 2004
Publication date: Jan. 05, 2006
Summary:
【課題】 有機EL層の水分または酸素による劣化を防止することができる構造を有するトップエミッション型素子の提供。【解決手段】 基板上に、反射電極、有機EL層、透明電極、捕捉剤層がこの順に積層された構造を有し、捕捉剤層が有機EL層を構成する物質の1つまたは複数によって形成されていることを特徴とするトップエミッション型有機EL素子。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
基板と、該基板上に形成された反射電極と、前記反射電極上に形成された有機EL層と、前記有機EL層上に透明電極と、前記透明電極上に形成された捕捉剤層とを有し、前記捕捉剤層が前記有機EL層を構成する物質の1つまたは複数によって形成されていることを特徴とするトップエミッション型有機EL素子。
IPC (2):
H05B 33/04 ,  H01L 51/50
FI (2):
H05B33/04 ,  H05B33/14 A
F-Term (11):
3K007AB12 ,  3K007AB13 ,  3K007AB18 ,  3K007BB01 ,  3K007BB03 ,  3K007BB04 ,  3K007BB05 ,  3K007CB01 ,  3K007CC01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA02
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (14)
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