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J-GLOBAL ID：200903050992775427

SOI基板の製造方法

Inventor： 中井 哲弥 ,  新行内 隆之 ,  山口 泰男 ,  西村 正
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱電機株式会社
Agent (1)： 安倍 逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993081348
Publication number (International publication number)：1994283420
Application date： Mar. 16, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】 SOI層の結晶性を改善することができるSOI基板の製造方法を提供する。【構成】 単結晶シリコン基板1に酸素イオン2を注入する。酸素イオン2が単結晶シリコン基板1のシリコン原子と反応して、単結晶シリコン基板1内部に直接埋込SiO2層3が形成される。埋込SiO2層3の上には、注入損傷を受けた残留シリコン層4が形成される。酸素イオン注入後、残留シリコン層4上に100nm以下のSiO2膜5を形成し、1100°C、6時間、Ar雰囲気にて、熱処理を施す。この後、1300°Cの熱処理によって、単結晶シリコン基板1から埋込SiO2層3以外の析出物が取り除かれる。そして、単結晶シリコン基板1表面に、シリコン原子を再配列させた単結晶シリコン層6が形成される。

Claim (excerpt)：

単結晶シリコン基板に酸素イオン注入後、高温熱処理を施すことにより、この単結晶シリコン基板の内部に埋込SiO2層およびこの埋込SiO2層上に結晶性の回復した単結晶シリコン層をそれぞれ形成するSOI基板の製造方法において、上記酸素イオン注入後、上記高温熱処理前に、上記単結晶シリコン基板の表面にSiO2薄膜を形成する工程と、不活性ガスの雰囲気中で低温熱処理を施す工程と、を有すること特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/00 301

FI (2)：

H01L 21/265 J ,  H01L 21/265 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 高エネルギーでイオン注入し、続いて熱処理することにより製造される、深く、薄い酸化物層を備えたSOI構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-136425   Applicant：イスティテュートグイドドネガニソチエタペルアツィオーニ