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J-GLOBAL ID：200903051057339046

酸化物超電導体及びその製造方法

Inventor： 村上 雅人 ,  ユー サング イム ,  坂井 直道 ,  高市 浩 ,  樋口 天光 ,  田中 昭二
Applicant, Patent owner： 財団法人国際超電導産業技術研究センター ,  財団法人鉄道総合技術研究所 ,  四国電力株式会社 ,  東ソー株式会社
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993333886
Publication number (International publication number)：1995187671
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 25, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、イオン半径の大きな希土類元素の123系超電導体において、臨界温度が90K以上で、かつ、臨界電流の大きな超電導体およびその製造方法を提供する。【構成】 La,Nd,Sm等の希土類元素中の少なくとも一つの元素を含む123系超電導体を溶融状態から凝固させる際に、生成雰囲気の酸素分圧を0.00001乃至0.1気圧の範囲内で制御すると、臨界温度が90Kを超える超電導体が合成できる。しかも、内部に123組成からごくわずかに組成のずれた相が分散し、有効なピン止め点として作用するため、臨界電流の高い超電導体が得られる。

Claim (excerpt)：

RE-Ba-Cu-O(REはLa,Nd,Smの希土類元素中の少なくとも一つの元素を含むものである)の組成からなる酸化物超電導体において、RE:Ba:Cuの比が1:2:3でOの比が6.8乃至7.2からなる組成物を母相とし、RE:Ba:Cuの比が1+d:2-d:3(0<d<0.5)でOの比が6.8乃至7.2の分散相が分散していることを特徴とする酸化物超電導体。

IPC (6)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C04B 35/45 ZAA ,  C04B 35/653 ZAA ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565

FI (2)：

C04B 35/00 ZAA K ,  C04B 35/60 ZAA A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平4-243917