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J-GLOBAL ID:200903051092586153

発泡グラファイトで絶縁された円筒形状容器を有するCVD反応炉

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 小島 高城郎 ,  河合 典子 ,  佐藤 卓也
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2002541148
Publication number (International publication number):2004513524
Application date: Oct. 18, 2001
Publication date: Apr. 30, 2004
Summary:
【課題】熱絶縁体を改善する。【解決手段】本発明は、特に結晶質皮膜を、加熱された処理室(14)に導入される反応ガスによって特に結晶質の基板に沈積するための装置に関するもので、処理室(14)は特に水晶の壁を有する反応炉ハウジングに配置される多数分割のグラファイト管(1)の中空体であり、反応炉ハウジングは処理室(14)の範囲を高周波コイル(13)で取り囲まれ、反応炉ハウジング壁(6)およびグラファイト管(1)の間の中空体は発泡グラファイトスリーブ(5)によって充填されている装置において、改善された熱絶縁体を得るため発泡グラファイトスリーブ(5)を貫通するスリットを設け、スリット(7)の幅を、処理温度に加熱された場合に予想される発泡グラファイトスリーブ(5)の円周方向における長さの伸びの最大より大きくすることを提案している。【選択図】図1
Claim (excerpt):
特に結晶質皮膜を、加熱された処理室(14)に導入される反応ガスによって特に結晶質の基板に沈積し、処理室(14)は特に水晶の壁を有する反応炉ハウジングに配置される多数分割のグラファイト管(1)の中空体であり、反応炉ハウジングの処理室(14)の範囲は高周波コイル(13)で取り囲まれ、反応炉ハウジング壁(6)およびグラファイト管(1)の間の空間は、発泡グラファイトスリーブ(5)によって充填されている装置において、 発泡グラファイトスリーブ(5)をスリットが貫通し、スリットの幅を処理温度に加熱された場合に予想される発泡グラファイトスリーブ(5)の円周方向における長さの伸びの最大より大きくすることを特徴とする装置。
IPC (3):
H01L21/205 ,  C23C16/46 ,  H05B6/22
FI (3):
H01L21/205 ,  C23C16/46 ,  H05B6/22
F-Term (15):
3K059AA08 ,  3K059AD01 ,  3K059AD07 ,  3K059CD53 ,  4K030BA37 ,  4K030FA10 ,  4K030KA23 ,  4K030LA12 ,  5F045AB06 ,  5F045BB08 ,  5F045BB20 ,  5F045DP04 ,  5F045EC01 ,  5F045EC05 ,  5F045EK03
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (6)
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