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J-GLOBAL ID：200903074990469260

広い電子的帯域ギャップおよび高い結合エネルギーを有する材料の沈積方法および装置

Inventor：
カペラ、ジョアン

About カペラ、ジョアン

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ウィスクメイヤー、フランク

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ストラウス、ガート

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ジューゲンセン、ホルガー

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Applicant, Patent owner：
アイクストロン、アーゲー

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Agent (1)： 小島 高城郎
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001518484
Publication number (International publication number)：2003507319
Application date： Aug. 24, 2000
Publication date： Feb. 25, 2003
Summary：
【要約】【課題】 高い成長率で非常に均一に沈積させることができる方法および装置を提供する。【解決手段】 SiCおよび/またはSiCxGe1-x(x=0-1)半導体被膜または、広い(電子的)帯域ギャップおよび特に高い結合エネルギーを有する関連する材料(例えばAlNまたはGaN)をCVD方法によって沈積する方法および装置が説明されている。本発明による方法およびそれに対応する装置は少なくとも一つの基板が約1100ないし1800°Cの温度に加熱され、少なくとも一つの基板がすべての側面から積極的に加熱される流体ダクト反応炉内で回転され、かつホモエピクタシーまたはヘテロエピクタシー沈積が行われることを特徴としている。
Claim (excerpt)：
SiCおよび/またはSiCxGe1-x(x=0-1)半導体被膜または、広い(電子的)帯域ギャップおよび特に高い結合エネルギーを有する関連する材料(例えばAlNまたはGaN)をCVD方法によって沈積する方法において、 少なくとも一つの基板が約1100ないし1800°Cの温度に加熱され、 少なくとも一つの基板がすべての側面から積極的に加熱される流体ダクト反応炉内で回転され、および ホモエピクタシーまたはヘテロエピクタシー沈積が行われることを特徴とする方法。
IPC (4)：
C30B 25/02 ,  C23C 16/42 ,  C30B 29/36 ,  H01L 21/205
FI (4)：
C30B 25/02 Z ,  C23C 16/42 ,  C30B 29/36 A ,  H01L 21/205
F-Term (40)：
4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077DB07 ,  4G077EA02 ,  4G077EA03 ,  4G077EG21 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TJ03 ,  4G077TJ04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA08 ,  4K030BA37 ,  4K030BA38 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA22 ,  4K030LA12 ,  4K030LA14 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC15 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045BB02 ,  5F045DP18 ,  5F045DP27 ,  5F045DQ06 ,  5F045EK02 ,  5F045EM10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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