Pat
J-GLOBAL ID：200903051140247374
パターンの形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995024901
Publication number (International publication number)：1996220764
Application date： Feb. 14, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、半導体装置製造の基盤加工におけるパターンの形成方法に関し、高解像力、O<SB>2 </SB>-RIE耐性に優れたパターン形成を図る。【構成】 SiO<SB>4-n </SB>(OR)<SB>n </SB>〔Rはアルキル基を表し同一であっても異なっていてもよい、nは0≦n<4の整数を表す〕で表される構造を含む樹脂と酸発生剤とからなる組成物のレジスト膜12を基体11上に形成し、次いでレジスト膜12を露光した後、アルカリ性溶液によって現像し、さらに現像後のレジスト膜12を全面露光した後、加熱処理することでレジスト膜12をSiO<SB>2 </SB>膜に改質して、パターン14を形成する。
Claim (excerpt)：
式【化1】で表される構造を含む樹脂と酸発生剤とからなる組成物のレジスト膜を基体上に形成する第1工程と、前記レジスト膜を露光する第2工程と、前記レジスト膜をアルカリ性溶液によって現像する第3工程と、前記現像したレジスト膜を露光した後、加熱処理を行う第4工程とからなることを特徴とするパターンの形成方法。
IPC (5)：
G03F 7/075 511
, G03F 7/004 503
, G03F 7/26 511
, G03F 7/40 501
, H01L 21/027
G03F 7/075 511
, G03F 7/004 503
, G03F 7/26 511
, G03F 7/40 501
, H01L 21/30 502 R
, H01L 21/30 562
