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J-GLOBAL ID：200903051145433966

大面積で均一な低転位密度GaN基板およびその製造プロセス

Inventor：
ヴァウド,ロバート,ピー.

About ヴァウド,ロバート,ピー.

, 
スー,シュエピン

About スー,シュエピン


Applicant, Patent owner：
クリー インコーポレイテッド

About クリー インコーポレイテッド


Agent (3)： 稲葉 良幸 ,  大賀 眞司 ,  大貫 敏史
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006540022
Publication number (International publication number)：2007519591
Application date： Nov. 12, 2004
Publication date： Jul. 19, 2007
Summary：
15cmを超える大面積と、少なくとも1mmの厚さと、5E5cm-2を超えない平均転位密度と、25%未満の転位密度標準偏差比率と、を有する大面積で均一な低転位密度単結晶III-V族窒化物材料、たとえば窒化ガリウム。かかる材料は、(i)たとえばIII-V族窒化物材料の成長表面の少なくとも50%にわたってピットを形成するピット化成長条件下で、III-V族窒化物材料を基板上に成長させる第1段階であって、成長表面上のピット密度が、成長表面において少なくとも102ピット/cm2である段階と、(ii)ピット充填条件下でIII-V族窒化物材料を成長させる第2段階と、を含むプロセスによって基板上に形成することができる。
Claim (excerpt)：
自身の少なくとも1つの表面が均一な低転位密度である、大面積単結晶III-V族窒化物材料。
IPC (5)：
C30B 29/38 ,  C23C 16/34 ,  C23C 14/06 ,  H01S 5/323 ,  H01L 33/00
FI (5)：
C30B29/38 D ,  C23C16/34 ,  C23C14/06 A ,  H01S5/323 610 ,  H01L33/00 C
F-Term (61)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB09 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB02 ,  4G077TK01 ,  4G077TK11 ,  4K029AA07 ,  4K029AA24 ,  4K029BA58 ,  4K029BB02 ,  4K029BB09 ,  4K029BC00 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029CA02 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029EA01 ,  4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA01 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  5F041AA31 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA54 ,  5F041CA57 ,  5F041CA64 ,  5F041CA77 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AH48 ,  5F173AH49 ,  5F173AJ13 ,  5F173AJ20 ,  5F173AP04 ,  5F173AQ10 ,  5F173AR82
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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