トランジスタ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中島淳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000263943
Publication number (International publication number)：2002076324
Application date： Aug. 31, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】半導体素子にカーボンナノチューブを用いることで、高速動作が可能で、室温で動作するナノメーターサイズのトランジスタを提供すること。【解決手段】半導体特性を有するカーボンナノチューブリング16,17を半導体材料として、あるいは、導電性または半導体特性を有するカーボンナノチューブリング18,19を電極材として、用いることを特徴とするトランジスタである。

Claim (excerpt)：

半導体特性を有するカーボンナノチューブリングを半導体材料として用いることを特徴とするトランジスタ。

IPC (10)：

H01L 29/06 , H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 29/43 , H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/337 , H01L 29/808

FI (9)：

H01L 29/06 , H01L 21/28 301 Z , H01L 21/28 301 B , H01L 29/62 G , H01L 29/78 301 X , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 622 , H01L 29/80 B , H01L 29/80 C

F-Term (45)：

4M104AA01 , 4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG12 , 5F040DC01 , 5F040EC04 , 5F040EC16 , 5F040EC19 , 5F040EC26 , 5F040EE01 , 5F040EF01 , 5F040EH02 , 5F102FB10 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD04 , 5F102GJ03 , 5F102GJ05 , 5F102GL02 , 5F102GL10 , 5F102GR01 , 5F102GS03 , 5F102GS07 , 5F102GT01 , 5F102HC01 , 5F102HC11 , 5F110AA01 , 5F110CC10 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE22 , 5F110EE36 , 5F110GG01 , 5F110GG22 , 5F110GG23

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

カーボン分子とその集合体、カーボン原子の配置構造とその作成方法およびそれらを用いたフォーク結線網
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-192846 Applicant：株式会社日立製作所
微細物質の固定ならびに電極形成法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-035071 Applicant：日本電気株式会社

Cited by examiner (2)

カーボン分子とその集合体、カーボン原子の配置構造とその作成方法およびそれらを用いたフォーク結線網
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-192846 Applicant：株式会社日立製作所
微細物質の固定ならびに電極形成法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-035071 Applicant：日本電気株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

Cited by examiner (3)

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