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J-GLOBAL ID:200903051226178138
電界放出素子およびその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
脇 篤夫 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996200992
Publication number (International publication number):1998031954
Application date: Jul. 12, 1996
Publication date: Feb. 03, 1998
Summary:
【要約】【課題】簡易に製造できる構成とする。【解決手段】カソード基板1に多数本のストライプ状の溝を形成し、この溝内に、カソードライン5、抵抗層4、および、エミッタ層3からなるエミッタライン2を形成する。エミッタライン2は平面状とされるとされると共に、ストライプ状の溝内にエミッタライン2が形成されるため、その製造を容易に行える。
Claim (excerpt):
カソード基板に形成された複数本のストライプ状の溝内に、カソードライン、抵抗層、およびエミッタ層が順次積層されて形成されており、前記ストライプ状の溝と溝との間の前記カソード基板の表面に、ゲートラインが形成されていることを特徴とする電界放出素子。
IPC (2):
FI (2):
H01J 1/30 B
, H01J 9/02 B
Patent cited by the Patent: