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J-GLOBAL ID：200903085820049145

電界放出素子及びその製造方法

Inventor： 渡辺 照男 ,  伊藤 茂生 ,  大津 和佳 ,  谷口 昌照 ,  西村 則雄 ,  落合 久隆 ,  山口 学
Applicant, Patent owner： 双葉電子工業株式会社
Agent (1)： 西村 教光
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992099420
Publication number (International publication number)：1993299011
Application date： Apr. 20, 1992
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 エミッタごとに独立した抵抗層を有するFECを効率的に製造する。【構成】 (a)絶縁基板1上に、カソード導体2、絶縁層3、ゲート4を積層し、絶縁層3とゲート4に空孔5を形成する。(b)絶縁基板1に対して垂直真上からSiを蒸着させ、ゲート4上にSi層を形成し、空孔5内のカソード導体2上に独立した抵抗層7を形成する。(c)陽極酸化法でSi層6のみを酸化して剥離層8とする。絶縁基板1の垂直真上からMoを蒸着し、抵抗層7上にエミッタ9を形成する。(d)剥離層8とともに剥離層8上の不要な蒸着層10を除去し、エミッタ9ごとに独立した抵抗層7を有するFECを得る。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に形成されたカソード導体と、前記カソード導体上に形成されて多数の空孔を有する絶縁層と、前記各空孔内の前記カソード導体上に互いに独立して設けられた抵抗層と、前記各抵抗層上に形成されたコーン形状のエミッタと、前記絶縁層上に形成されたゲートを有する電界放出素子。

IPC (3)：

H01J 1/30 ,  H01J 9/02 ,  H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 電界放出型電子源及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-204350   Applicant：シヤープ株式会社
• 電界放射型冷陰極の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-208643   Applicant：クラリオン株式会社