半導体レーザおよび該半導体レーザを用いたレーザ発光装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：柳田征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997234403
Publication number (International publication number)：1999074620
Application date： Aug. 29, 1997
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】横多モード発振を行うストライプ構造であり、屈折率導波機構を有する半導体レーザにおいて、雑音の少ない安定な出力を得る。【解決手段】横多モード発振を行うストライプ構造を有し屈折率導波機構を有する半導体レーザ2の、活性層24に近い側の電極28を、半導体層と接触する側からTi,Pt,Auを順に積層されて構成されるTi/Pt/Auオーミック電極とする。

Claim (excerpt)：

横多モード発振を行うストライプ構造であり、屈折率導波機構を有する半導体レーザであって、電流を流すための陽極用および陰極用の電極を具備し、両電極のうち光を出射する活性層に近い側に位置する電極の該電極と半導体層との界面に配される材料としてチタンが用いられていることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (3)：

H01S 3/18 , G02B 6/42 , H01S 3/094

FI (3)：

H01S 3/18 , G02B 6/42 , H01S 3/094 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-234063 Applicant：ソニー株式会社
大出力用半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-138540 Applicant：株式会社デンソー
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-068367 Applicant：三井石油化学工業株式会社

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