半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994139151
Publication number (International publication number)：1996008181
Application date： Jun. 21, 1994
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】信頼性や電気的安定性を向上させる。【構成】結晶性を有するケイ素膜からなる活性領域113を備えた半導体装置であって、該活性領域113は、結晶化を助長する触媒元素が選択的に導入された非晶質ケイ素膜を加熱処理することにより形成されたラテラル成長部からなっており、レーザー光又は強光の照射前に、該非晶質ケイ素膜における該触媒元素の導入部105が除去された構成となっている。

Claim (excerpt)：

結晶性を有するケイ素膜からなる活性領域を備えた半導体装置であって、該活性領域は、結晶化を助長する触媒元素が選択的に導入された非晶質ケイ素膜を加熱処理することにより形成されたラテラル成長部からなっており、レーザー光又は強光の照射前に、該非晶質ケイ素膜における該触媒元素の導入部が除去された構成となっている半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 21/263 , H01L 21/324 , H01L 29/786 , H01L 21/336

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平2-140915
多結晶半導体薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-268469 Applicant：ソニー株式会社
特開平4-022120

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