半導体装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：日向寺雅彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008019073
Publication number (International publication number)：2009182109
Application date： Jan. 30, 2008
Publication date： Aug. 13, 2009
Summary：

【課題】ゲルマニウム層に浅いn型不純物拡散領域を形成可能とした半導体装置を提供する。【解決手段】ゲルマニウムを主成分とするp型半導体と、前記p型半導体の表面に選択的に設けられた一対のn型不純物拡散領域と、前記一対のn型不純物拡散領域により挟まれた前記p型半導体の上に設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上に設けられたゲート電極と、を備え、前記n型不純物拡散領域の少なくとも一部は、シリコン及び炭素から選択された少なくともいずれかの添加元素を含有していることを特徴とする半導体装置が提供される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ゲルマニウムを主成分とするp型半導体と、前記p型半導体の表面に選択的に設けられた一対のn型不純物拡散領域と、前記一対のn型不純物拡散領域により挟まれた前記p型半導体の上に設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上に設けられたゲート電極と、を備え、前記n型不純物拡散領域の少なくとも一部は、シリコン及び炭素から選択された少なくともいずれかの添加元素を含有していることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/265

FI (5)：

H01L29/78 301B , H01L21/28 301B , H01L29/50 M , H01L29/58 G , H01L21/265 W

F-Term (77)：

4M104AA02 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB18 , 4M104BB27 , 4M104BB28 , 4M104BB30 , 4M104BB34 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD26 , 4M104DD33 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD50 , 4M104DD63 , 4M104DD66 , 4M104DD84 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104FF14 , 4M104FF18 , 4M104FF31 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F140AA13 , 5F140AA21 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BA03 , 5F140BA17 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD11 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF03 , 5F140BF05 , 5F140BF06 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BF20 , 5F140BF21 , 5F140BF22 , 5F140BF24 , 5F140BF28 , 5F140BG08 , 5F140BG30 , 5F140BG34 , 5F140BG38 , 5F140BG44 , 5F140BG45 , 5F140BG54 , 5F140BH07 , 5F140BH14 , 5F140BH22 , 5F140BH27 , 5F140BH49 , 5F140BK02 , 5F140BK09 , 5F140BK10 , 5F140BK12 , 5F140BK13 , 5F140BK15 , 5F140BK18 , 5F140BK21 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC03 , 5F140CC12 , 5F140CE07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-292950 Applicant：株式会社東芝

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