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J-GLOBAL ID:200903098497177141
半導体装置および半導体装置の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
三好 秀和 (外7名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000292950
Publication number (International publication number):2002110586
Application date: Sep. 26, 2000
Publication date: Apr. 12, 2002
Summary:
【要約】【課題】 ゲルマニウム中あるいはゲルマニウム含有量が20%以上のシリコンゲルマニウム中に低抵抗のn型拡散領域を有する半導体装置を製造する。【解決手段】 基板上にゲルマニウム層を形成し、このゲルマニウム層の所定の位置に、Sb(アンチモン)を注入ドーズが1014cm-2 以上、1016cm-2 以下でイオン注入する。ゲルマニウム層上に絶縁層を形成し、ゲルマニウム層および絶縁層を550°C〜1000°Cで熱処理して、ゲルマニウム層の所定の位置にn型拡散領域を形成する。絶縁層に、n型拡散領域に到達するコンタクトを形成する。このような方法で形成された半導体装置は、ゲルマニウム層中に、活性化されたシートキャリヤ密度が1014cm-2 以上、1016cm-2 以下であり、その抵抗値が5Ω/cm2から100Ω/cm2の範囲にあるn型不純物拡散領域を有する。
Claim (excerpt):
基板上に、ゲルマニウム層またはゲルマニウムを含有する半導体層を形成するステップと、前記ゲルマニウム層またはゲルマニウム含有半導体層を非晶質状態にして、n型不純物を導入するステップと、前記ゲルマニウム層またはゲルマニウム含有半導体層を非晶質状態から結晶回復させることによって、n型の不純物拡散領域を形成するステップと、前記n型不純物拡散領域に到達するコンタクトを形成するステップとを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2):
FI (4):
H01L 21/265 F
, H01L 29/78 301 B
, H01L 29/78 301 H
, H01L 29/78 301 S
F-Term (15):
5F040DC01
, 5F040EB12
, 5F040EC07
, 5F040EE06
, 5F040EF02
, 5F040EF14
, 5F040EH02
, 5F040EJ02
, 5F040EJ03
, 5F040EK01
, 5F040EK05
, 5F040EL02
, 5F040FA07
, 5F040FB02
, 5F040FC19
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-172169
Applicant:株式会社東芝
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シリコン装置にきわめて浅い接合を形成する方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-031920
Applicant:テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
-
SiGeチャンネルのMOSトランジスタ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-292907
Applicant:三星電子株式会社
-
半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-000282
Applicant:株式会社東芝
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-293688
Applicant:ソニー株式会社
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-254324
Applicant:日本電気株式会社
-
シリコン-ゲルマニウム・トランジスタおよび関連方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-246577
Applicant:ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
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Article cited by the Patent:
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