Pat

J-GLOBAL ID：200903051403093199

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 藤本 紘行
Applicant, Patent owner： エルピーダメモリ株式会社
Agent (3)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008312186
Publication number (International publication number)：2009164589
Application date： Dec. 08, 2008
Publication date： Jul. 23, 2009
Summary：

【課題】半導体素子とコンタクトプラグとが高精度で位置合わせされた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板のエッチング速度が絶縁層2のエッチング速度よりも速くなるように、裏面側から、半導体基板内の突起状領域に対応する位置の異方性エッチングを行い、第1構造体が露出するまで開口2を設ける。【選択図】図14

Claim (excerpt)：

所定方向に伸長し、一方の端部側に前記所定方向と垂直な断面の断面積を不連続に変化させる段差を有する第1コンタクトプラグと、 前記第1コンタクトプラグに電気的に接続された突起状領域と、 前記突起状領域に電気的に接続された第1構造体と、 前記突起状領域、及び前記段差よりも第1構造体側の前記第1コンタクトプラグの側壁上に設けられた絶縁層2と、 を有する半導体装置。

IPC (13)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/329

FI (21)：

H01L21/88 J ,  H01L21/90 C ,  H01L21/90 A ,  H01L29/78 301X ,  H01L29/78 652F ,  H01L29/78 653B ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 658K ,  H01L29/78 658G ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 448 ,  H01L27/10 621Z ,  H01L27/10 671A ,  H01L29/78 371 ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 626A ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/91 A

F-Term (81)：

5F033JJ04 ,  5F033KK01 ,  5F033LL04 ,  5F033MM30 ,  5F033NN32 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ59 ,  5F033RR04 ,  5F033TT07 ,  5F033VV16 ,  5F033WW00 ,  5F033XX15 ,  5F083AD06 ,  5F083AD21 ,  5F083AD69 ,  5F083EP02 ,  5F083ER22 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083PR06 ,  5F083PR25 ,  5F083PR40 ,  5F101BA01 ,  5F101BD16 ,  5F101BE07 ,  5F101BH11 ,  5F110AA26 ,  5F110BB05 ,  5F110CC09 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG22 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HM02 ,  5F110HM17 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA39 ,  5F140AB05 ,  5F140BA01 ,  5F140BB04 ,  5F140BC13 ,  5F140BC15 ,  5F140BD04 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF08 ,  5F140BG38 ,  5F140BJ04 ,  5F140BJ25 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK13 ,  5F140CC03 ,  5F140CE07 ,  5F140CE20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-275568   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-183333   Applicant：株式会社東芝