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J-GLOBAL ID：200903051430442510

接続基材とそれを用いた半導体装置およびその製造方法

Inventor： 山中 英雄
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994078206
Publication number (International publication number)：1995263486
Application date： Mar. 23, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】 容易にしかも確実に半導体素子を接続できる接続基材とそれを用いた半導体装置およびその製造方法を提供すること。【構成】 本発明の接続基材1は半導体素子10の外形よりも小さい窓部3を有する基台2と、窓部3の外周部分から延設されたリード4と、リード4の端部に設けられた異方性導電層5とから成る。また本発明の半導体装置はこの接続基材1を用いて半導体素子10を接続し、窓部3に透光性部材を取り付けた構成となっている。また、接続基材1の窓部3越しに半導体素子10の位置を検出し、電極パッド11とリード4との位置合わせを行い、異方性導電層5を介して電気的、機械的な接続を行う半導体装置の製造方法でもある。

Claim (excerpt)：

半導体素子を接続することで該半導体素子の電極パッドと電気的な導通を得るための接続基材であって、絶縁性材料から構成されかつ前記半導体素子の外形よりも小さい窓部を有する基台と、前記基台の表面で前記窓部の外周部分から外側に向けて延設された導電性のリードと、少なくとも前記リードの前記窓部側の端部に設けられ、前記半導体素子が前記窓部に合わせて配置された状態で該半導体素子を機械的に接続するとともに、該リードと前記電極パッドとの間の加熱加圧によりその加圧方向に沿って該リードと該電極パッドとの電気的な接続を得るための異方性導電層とから成ることを特徴とする接続基材。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 光電変換素子の実装装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-111534   Applicant：株式会社東芝, 東芝エー・ブイ・イー株式会社
• 電子部品搭載装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-051637   Applicant：イビデン株式会社
• 特開平4-152647