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J-GLOBAL ID：200903051475318802
テフロン薄膜作製方法及び薄膜作製装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高橋 敬四郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995217484
Publication number (International publication number)：1997059765
Application date： Aug. 25, 1995
Publication date： Mar. 04, 1997
Summary：
【要約】【課題】 大面積の表面上に平坦性もしくは結晶化度を制御しつつテフロン薄膜を成長させることのできる薄膜作製方法を提供する。【解決手段】 テフロンターゲットに対向して薄膜形成用下地部材を配置する工程と、前記テフロンターゲットを加熱する工程と、加熱された前記テフロンターゲットに、少なくとも波長160nmの紫外光を含むシンクロトロン放射光を照射してテフロンのアブレーションを生じさせる工程とを含む。
Claim (excerpt)：
テフロンターゲットに対向して薄膜形成用下地部材を配置する工程と、前記テフロンターゲットを加熱する工程と、加熱された前記テフロンターゲットに、少なくとも波長160nmの紫外光を含むシンクロトロン放射光を照射してテフロンのアブレーションを生じさせる工程とを含むテフロン薄膜作製方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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