SOI基板およびSIMOX法によるSOI基板の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：安倍逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993259292
Publication number (International publication number)：1994333829
Application date： Sep. 22, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 SOI層(単結晶シリコン層)の抵抗率を単結晶シリコン基板のものと同程度にすることができるSOI基板およびSIMOX法によるSOI基板の製造方法を提供する。【構成】単結晶シリコン基板1に酸素イオン2を注入する。単結晶シリコン基板1の内部に埋込二酸化ケイ素層3を形成する。埋込二酸化ケイ素層3上に残留シリコン層4を形成する。このものに、1時間以内に、HF洗浄を施す。この後、残留シリコン層4上に0.5μmの二酸化ケイ素薄膜5を形成する。この後、1325°Cの高温熱処理によって、単結晶シリコン基板1から埋込SiO2層3以外の析出物を取り除く。そして、残留シリコン層4のシリコン原子が再配列した単結晶シリコン層6を形成する。高温熱処理雰囲気中のB(ボロン)から残留シリコン層4が保護され、単結晶シリコン層6中へのBの拡散が抑制される。

Claim (excerpt)：

単結晶シリコン基板の内部に埋込二酸化ケイ素層が形成され、この単結晶シリコン基板の表面部に単結晶シリコン層が形成されるSIMOX法により製造されたSOI基板において、上記単結晶シリコン層のドーパント濃度が上記単結晶シリコン基板のものと同程度であることを特徴とするSOI基板。

IPC (2)：

H01L 21/20 , H01L 27/00 301

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭64-067937
特開昭59-094411
特開平4-343248

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