電界効果トランジスタ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石島茂男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000330442
Publication number (International publication number)：2002134749
Application date： Oct. 30, 2000
Publication date： May. 10, 2002
Summary：

【要約】【課題】高耐圧低抵抗の電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】環状に形成したソース領域39の外側に環状のチャネル領域40を配置し、チャネル領域40の外側をドレイン領域とする。空乏層がドレイン領域の内部に向かって広がるので耐圧が高い。チャネル領域40の角部分から所定距離内を除き、低抵抗の導電層26を配置しておくと低抵抗になる。

Claim (excerpt)：

第1導電型の高抵抗層に形成され、前記高抵抗層の表面に配置された第2導電型の拡散領域と、前記拡散領域内に形成され、その表面に配置された第1導電型のソース領域と、前記拡散領域の一部であって、該拡散領域の縁と前記ソース領域の縁との間に位置するチャネル領域と、少なくとも前記チャネル領域表面に配置されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜表面に配置されたゲート電極膜とを有し、前記ゲート電極膜に印加された電圧により、前記チャネル領域表面が第1導電型に反転すると、前記チャネル領域の外側に位置する高抵抗層からなるドレイン領域と、前記ソース領域とが電気的に接続される電界効果トランジスタであって、前記拡散領域は、細長の幹部を少なくとも一本と、前記幹部に一端が接続された複数の枝部とを有し、前記ソース領域は環状に形成され、その外縁部分が前記拡散領域の外縁部分より所定距離だけ内側に位置するように構成された電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/78 652 , H01L 29/78 , H01L 29/78 655

FI (6)：

H01L 29/78 652 S , H01L 29/78 652 E , H01L 29/78 652 H , H01L 29/78 652 P , H01L 29/78 655 F , H01L 29/78 655 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開昭63-173365
縦型構造の電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-207169 Applicant：シャープ株式会社

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