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J-GLOBAL ID:200903051697269362
アクティブフォトニックバンドギャップ光ファイバ
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
柳田 征史
, 佐久間 剛
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2006541556
Publication number (International publication number):2007511919
Application date: Nov. 19, 2004
Publication date: May. 10, 2007
Summary:
複数の活性利得材料(93)が、フォトニックバンドギャップ結晶ファイバ(20)の誘電体コア(12)に隣接する誘電体バンドギャップクラッド閉じ込め領域(22)の活性界面部(44)に配置されるが、この場合、動作中に、複数の活性利得材料(93)が、コア(12)の第1の導波モードとオーバーラップするための、第2の周波数範囲における第2の周波数の第2の導波モードにおけるEMエネルギによる刺激のための潜在的なエネルギ貯蔵として、ポンプエネルギを吸収し、かつポンプエネルギを蓄積して、フォトニックバンドギャップクラッド(22)と、界面(44)を伝搬する少なくとも1つ表面モードを支持する誘電体コア(12)との間の界面によって定義される表面が、誘電体クラッド閉じ込め領域の活性界面部、および誘電体コア(12)に関連する状態をオーバーラップさせるようにする。
Claim (excerpt):
バンドギャップ効果によって光が導波される中空ボイドを有するバンドギャップ光導波領域と、
光導波を強化するために、前記中空ボイドに隣接して配置された微細構造と、
前記光導波に活性利得を提供するために、前記中空ボイドと前記微細構造との間の界面エリアに配置された複数の活性利得材料と、
を含むことを特徴とする装置。
IPC (3):
H01S 3/06
, G02B 6/00
, G02B 6/02
FI (3):
H01S3/06 B
, G02B6/00 376Z
, G02B6/10 A
F-Term (10):
2H150AF02
, 2H150AF13
, 2H150AF30
, 2H150AF33
, 2H150AF37
, 2H150AF46
, 2H150AH32
, 5F172AE12
, 5F172AF06
, 5F172AM08
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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微細構造光ファイバ
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2000-553842
Applicant:クリスタルフィブレアクティーゼルスカブ
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特許第6496634号
-
フォトニック結晶ファイバ及びその製造方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2000-609822
Applicant:キネティックリミテッド
-
フォトニッククリスタルファイバ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-240728
Applicant:三菱電線工業株式会社, 日本電信電話株式会社
-
光増幅用フォトニッククリスタルファイバ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-130224
Applicant:三菱電線工業株式会社
-
特許第6600597号
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