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J-GLOBAL ID：200903051820614703

SiCショットキーダイオードおよびその製造方法

Inventor： 浅井 隆一 ,  上野 勝典
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999226065
Publication number (International publication number)：2001053293
Application date： Aug. 10, 1999
Publication date： Feb. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】順方向のオン電圧が小さく、逆漏れ電流の小さいSiCショットキーダイオードおよびその製造方法を提供する。【解決手段】?@ショットキー電極とオーミック電極のうちの少なくとも一方を、SiC側からTi/Ni/Auなる三層構造とする。?A燐等のイオン注入により高不純物濃度層を形成し、その表面にオーミック電極を設ける。?B表面を水素終端処理し、温度700〜800°Cの熱処理後直ちにショットキー電極を形成する

Claim (excerpt)：

半導体SiCの表面にショットキーバリアを生ずるショツトキー電極と、オーミック電極とが設けられたSiCショットキーダイオードにおいて、ショットキー電極とオーミック電極のうちの少なくとも一方が、SiC側からチタン/ニッケル/金なる三層構造であることを特徴とするSiCショットキーダイオード。

FI (2)：

H01L 29/48 D ,  H01L 29/48 M

F-Term (11)：

4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD22 ,  4M104DD26 ,  4M104DD37 ,  4M104DD79 ,  4M104GG03 ,  4M104HH20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• ダイオードとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-143624   Applicant：富士電機株式会社
• 電極構造および電極作成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-068018   Applicant：工業技術院長
• 炭化けい素ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-132479   Applicant：株式会社日立製作所, 関西電力株式会社

Cited by examiner (2)

• ダイオードとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-143624   Applicant：富士電機株式会社
• 電極構造および電極作成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-068018   Applicant：工業技術院長