電極構造および電極作成方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：工業技術院電子技術総合研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996068018
Publication number (International publication number)：1997129901
Application date： Mar. 25, 1996
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】半導体上への電極の電気的特性を自由に制御し、Schottky電極とOhmic電極の新規な電極構造および全く新しい電極作成方法を提供する。【解決手段】半導体表面の原子レベルでの平坦化を進めることにより、電極金属堆積後の界面準位密度を低減し、これにより、Schottky障壁高さを自由に制御する。この方法を用いると、Schottky障壁がゼロの理想的Ohmic電極が実現する。Schottky障壁高さは、界面準位密度の低減と金属の仕事関数の選定により自由に変化できる。また、本方法では、加熱処理を伴わなず、安定なSchottky電極とOhmic電極を形成できる。さらに、高濃度のドーピングを必要とせずにOhmic電極を形成できる。

Claim (excerpt)：

半導体表面に電極金属層を形成する電極作成方法であって、前記半導体表面の表面準位密度を低減する工程を備えたことを特徴とする電極作成方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

化合物半導体エッチング方法、半導体装置の製造方法及びエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-311491 Applicant：株式会社日立製作所
特開昭64-081220
高耐圧ショットキー・ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-037995 Applicant：株式会社東芝

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