半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：角田嘉宏 , 古川安航 , 西谷俊男 , 幅慶司 , 内山泉 , 是枝洋介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004168338
Publication number (International publication number)：2005347680
Application date： Jun. 07, 2004
Publication date： Dec. 15, 2005
Summary：

【課題】 MISFETのチャネル移動度を高めつつ適切な閾値電圧制御を行い得る半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 MISFET100は、ゲート電極101の少なくともゲート絶縁層16に接する第一のゲート層17が炭素を含んでいる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ゲート電極の少なくともゲート絶縁層に接する第一のゲート層が炭素を含んでいるMISFETからなる半導体装置。

IPC (5)：

H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49

FI (9)：

H01L29/78 652K , H01L29/78 652E , H01L29/78 652T , H01L21/28 301B , H01L29/78 301G , H01L29/78 301H , H01L29/78 301B , H01L29/58 G , H01L29/78 658F

F-Term (64)：

4M104AA03 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD34 , 4M104DD35 , 4M104DD43 , 4M104DD65 , 4M104DD68 , 4M104DD78 , 4M104EE03 , 4M104FF13 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 4M104GG18 , 5F140AA00 , 5F140AA05 , 5F140AA26 , 5F140AC23 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA16 , 5F140BB13 , 5F140BC12 , 5F140BD06 , 5F140BE07 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BF16 , 5F140BF17 , 5F140BF20 , 5F140BF21 , 5F140BF26 , 5F140BF34 , 5F140BF38 , 5F140BG02 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG31 , 5F140BG37 , 5F140BG38 , 5F140BH43 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BK05 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK26 , 5F140BK29 , 5F140BK38 , 5F140BK39 , 5F140CA03 , 5F140CE02 , 5F140CE10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体基板および半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-227004 Applicant：松下電器産業株式会社

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