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J-GLOBAL ID：200903051827996822

シリコン窒化膜の形成方法、形成装置、形成装置の処理方法及びプログラム

Inventor：
松浦 廣行

About 松浦 廣行


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 木村 満
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006323805
Publication number (International publication number)：2008140864
Application date： Nov. 30, 2006
Publication date： Jun. 19, 2008
Summary：
【課題】パーティクルの発生を抑制するとともに、生産性を向上させることができるシリコン窒化膜の形成方法、形成装置、形成装置の処理方法及びプログラムを提供する。【解決手段】制御部100は、半導体ウエハWが収容された反応管2内に成膜用ガスを供給し、半導体ウエハWにシリコン窒化膜を形成する。そして、シリコン窒化膜の形成を複数回繰り返すことにより、反応管2の内壁等に付着した付着物が所定の累積膜厚となる前に、制御部100は、反応管2内に酸化ガスを供給して付着物を酸化する。続いて、制御部100は、反応管2内に窒化ガスを供給して酸化された付着物の表面を窒化させる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
薄膜形成装置の反応室内に成膜用ガスを供給して被処理体にシリコン窒化膜を形成することにより装置内部に付着した付着物に、活性化された酸化ガスまたはオゾンを供給し、前記付着物を酸化する酸化工程を備える、ことを特徴とするシリコン窒化膜形成装置の処理方法。
IPC (2)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/44
FI (2)：
H01L21/31 C ,  C23C16/44 J
F-Term (37)：
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030CA17 ,  4K030DA06 ,  4K030EA03 ,  4K030FA03 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA04 ,  4K030KA05 ,  4K030KA41 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AA20 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045EB05 ,  5F045EC05 ,  5F045EH18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (1)
  • 特開平4-192330

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