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J-GLOBAL ID：200903000953789987

成膜方法、成膜装置及び記憶媒体

Inventor：
長谷部 一秀

About 長谷部 一秀

, 
岡田 充弘

About 岡田 充弘


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005173036
Publication number (International publication number)：2006066884
Application date： Jun. 13, 2005
Publication date： Mar. 09, 2006
Summary：
【課題】 シリコン窒化膜の成膜処理後に、この表面にパーティクルが発生乃至付着することを防止することが可能な成膜方法を提供する。【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器内に、シラン系ガスと窒化ガスとを供給して加熱された被処理体Wの表面にシリコン窒化膜の薄膜を堆積させるようにした成膜方法において、前記処理容器内に前記シラン系ガスと前記窒化ガスとを供給してCVD(Chemical Vapor Deposition)により前記シリコン窒化膜の薄膜を堆積する薄膜形成工程と、前記薄膜形成工程の後に前記処理容器内に窒化ガスを流して前記薄膜の表面を窒化する表面窒化工程と、を備える。これにより、被処理体の表面にパーティクルが発生乃至付着することを防止する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
真空引き可能になされた処理容器内に、シラン系ガスと窒化ガスとを供給して加熱された被処理体の表面にシリコン窒化膜の薄膜を堆積させるようにした成膜方法において、 前記処理容器内に前記シラン系ガスと前記窒化ガスとを供給してCVD(Chemical Vapor Deposition)により前記シリコン窒化膜の薄膜を堆積する薄膜形成工程と、 前記薄膜形成工程の後に前記処理容器内に窒化ガスを流して前記薄膜の表面を窒化する表面窒化工程と、 を備えたことを特徴とする成膜方法。
IPC (6)：
H01L 21/318 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522
FI (6)：
H01L21/318 B ,  H01L21/318 C ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 J ,  H01L21/31 C ,  H01L21/90 K
F-Term (46)：
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030DA08 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F033QQ90 ,  5F033RR06 ,  5F033SS02 ,  5F033SS03 ,  5F033SS13 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW05 ,  5F033XX00 ,  5F045AA03 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD09 ,  5F045AE23 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EF01 ,  5F045EH12 ,  5F045EH18 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BD01 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF04 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF74 ,  5F058BH04 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 縦型半導体製造装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-107067   Applicant：株式会社日立国際電気
Cited by examiner (3)

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