Pat

J-GLOBAL ID：200903051846207588

半導体ウエハーの選別方法

Inventor： 塩島 謙次 ,  重川 直輝
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 高山 道夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002023005
Publication number (International publication number)：2003224171
Application date： Jan. 31, 2002
Publication date： Aug. 08, 2003
Summary：

【要約】【課題】 ナイトライド系化合物半導体は、大きな転位密度を有し、結晶品質の悪いウエハーにアニールを行うと、シート抵抗が増加する場合があり、プロセスを開始する前に、シート抵抗が変化しないエピウエハーを非破壊に選別する必要がある。【解決手段】 半導体ウエハー表面に白色光を照射して反射光の分光測定を行い、ヘテロ界面に起因する反射率のピークが反射率スペクトルに存在するか否かを半導体ウエハーの選別基準とする。(a)と(b)は、同一の条件で成長した2枚のエピウエハー(AlGaN(18nm)/GaN(2μm)/サファイア基板)の成長後試料の反射率スペクトルを示している。波長311nm付近にAlGaNの吸収ピークがみられるサンプルAではアニール温度によるシート抵抗の上昇はなく、このようなピークがみられないサンプルBではアニール温度による顕著なシート抵抗の上昇がある。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハー表面に白色光を照射して反射光の分光測定を行い、ヘテロ界面に起因する反射率のピークが反射率スペクトルに存在するか否かを半導体ウエハーの選別基準とすることを特徴とする半導体ウエハーの選別方法。

IPC (4)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (2)：

H01L 21/66 N ,  H01L 29/80 H

F-Term (12)：

4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106BA04 ,  4M106CB19 ,  5F102FA09 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01