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J-GLOBAL ID：200903051903688342

有機絶縁膜材料、有機絶縁膜及びその製造方法

Inventor： 長谷 陽子 ,  村山 三素 ,  江口 敏正 ,  榎 尚史
Applicant, Patent owner： 住友ベークライト株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000098731
Publication number (International publication number)：2000344896
Application date： Mar. 31, 2000
Publication date： Dec. 12, 2000
Summary：

【要約】【課題】 本発明は電気特性、熱特性、低吸水性に優れた有機絶縁膜材料、有機絶縁膜及び製造方法を提供する事を目的とする。【解決手段】 ポリベンゾオキサゾールとオリゴマーとを反応させた反応物からなる有機絶縁膜材料、これを用いた一般式(2)で表される構造を主構造とするポリベンゾオキサゾール樹脂層が微細孔を有してなることを特徴とする有機絶縁膜。【化2】(但し、一般式(2)中のnは2〜1000までの整数を示す。Xは4価及びYは2価の有機基を表す。)

Claim (excerpt)：

一般式(1)で表されるポリベンゾオキサゾール前駆体のカルボン酸末端とアミノ基を有するオリゴマーとを反応させた反応物からなる有機絶縁膜材料。【化1】(但し、一般式(1)中のnは2〜1000までの整数を示す。Xは4価及びYは2価の有機基を表す。)

IPC (10)：

C08G 81/00 ,  C08F 8/30 ,  C08G 64/42 ,  C08G 73/22 ,  C08J 9/26 CEZ ,  C08J 9/26 102 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768 ,  C09D 5/25 ,  C09D179/04

FI (10)：

C08G 81/00 ,  C08F 8/30 ,  C08G 64/42 ,  C08G 73/22 ,  C08J 9/26 CEZ ,  C08J 9/26 102 ,  H01L 21/312 A ,  C09D 5/25 ,  C09D179/04 B ,  H01L 21/90 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体用有機絶縁膜材料及び製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-371775   Applicant：住友ベークライト株式会社