GaN蛍光体の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西村教光 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998373538
Publication number (International publication number)：2000192035
Application date： Dec. 28, 1998
Publication date： Jul. 11, 2000
Summary：

【要約】【目的】電子線の励起により実用上十分な輝度で発光するGaN系蛍光体の製造方法を提供する。【構成】焼成炉1の内部において、H2 と反応する元素を含み、加熱によりガス化するドープ物質の化合物3を上流側の加熱範囲の端部(ロ)に置く。蛍光体母体の原料物質であるGa化合物4を下流側の加熱範囲の中央部(イ)に置く。NH3 ガスを流しながらヒータ2で管状炉1内を加熱する。化合物3よりも4の方が高温で加熱される。アンモニアによりドープ物質化合物3が分解・飛散し、Ga化合物4付近にS、Oおよびドープ物質を含む雰囲気が生成される。S、Oによって水素の還元作用が抑えられ、GaNの分解がおこり難くなる。Ga化合物4の周囲がアンモニアとガス状のドープ物質で覆われ、GaNに十分な量のドープ物質が拡散する。高い焼成温度で、ドープ物質が十分にドープした結晶性が高いGaN蛍光体が得られる。発光輝度が高い。

Claim (excerpt)：

Ga<SB>1-x </SB>In<SB>x </SB>N:A,B(0≦x<1、A=Zn,Mg、B=Si,Ge)で表されるGaN蛍光体の製造方法において、NH<SB>3 </SB>ガスが所定方向に流される焼成炉の内部において、H<SB>2 </SB>と反応する元素を含むとともに加熱によりガス化する前記Aの化合物を上流側に配置し、母体元素化合物を下流側に配置して焼成を行うことを特徴とするGaN蛍光体の製造方法。

IPC (2)：

C09K 11/62 , C09K 11/08

FI (2)：

C09K 11/62 , C09K 11/08 B

F-Term (8)：

4H001CF01 , 4H001XA07 , 4H001XA31 , 4H001XA49 , 4H001YA12 , 4H001YA14 , 4H001YA30 , 4H001YA32

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

蛍光体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-043032 Applicant：双葉電子工業株式会社
蛍光体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-100215 Applicant：双葉電子工業株式会社
特開昭51-041686

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Cited by examiner (6)

蛍光体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-043032 Applicant：双葉電子工業株式会社
蛍光体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-100215 Applicant：双葉電子工業株式会社
特開昭51-041686

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