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J-GLOBAL ID：200903051940023717

III族窒化物結晶成長装置およびIII族窒化物結晶成長方法およびIII族窒化物結晶および半導体デバイス

Inventor：
皿山 正二

About 皿山 正二

, 
山根 久典

About 山根 久典

, 
島田 昌彦

About 島田 昌彦


Applicant, Patent owner：
株式会社リコー

About 株式会社リコー


Agent (1)： 植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001195954
Publication number (International publication number)：2003012400
Application date： Jun. 28, 2001
Publication date： Jan. 15, 2003
Summary：
【要約】【課題】 III族原料を反応容器内に継続的に安定して供給し、所望の大きさの高品質のIII族窒化物結晶を成長させる。【解決手段】 容器110に収容されているIII族材料を供給管107,109を通して反応容器101内に継続的に安定して供給するため、第1の供給管107と第2の供給管109との間に、ポンプ(送液ポンプ)108が設けられている。このポンプ108には、モーターの回転運動をロッドの直進運動に変換し、直進運動するロッドによって液体状態のIII族原料(少なくともIII族金属を含む物質),例えば液体状態の金属Gaを反応容器の外部から反応容器内に送り込む型式のものが用いられる。
Claim (excerpt)：
反応容器内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長装置において、モーターの回転運動をロッドの直進運動に変換し、直進運動するロッドによって少なくともIII族金属を含む物質を反応容器の外部から反応容器内に送り込むポンプを備えていることを特徴とするIII族窒化物結晶成長装置。
IPC (5)：
C30B 29/38 ,  C30B 9/06 ,  H01L 21/208 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610
FI (5)：
C30B 29/38 D ,  C30B 9/06 ,  H01L 21/208 Z ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610
F-Term (31)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CC05 ,  4G077CC06 ,  4G077EG26 ,  5F041AA04 ,  5F041AA44 ,  5F041CA40 ,  5F041CA63 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA85 ,  5F053AA50 ,  5F053DD20 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053LL01 ,  5F053RR11 ,  5F053RR13 ,  5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073DA04 ,  5F073DA06 ,  5F073DA07 ,  5F073DA32 ,  5F073EA24 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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