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J-GLOBAL ID：200903071583922539

結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶および半導体デバイス

Inventor： 皿山 正二 ,  島田 昌彦 ,  山根 久典
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー ,  島田 昌彦 ,  山根 久典
Agent (1)： 植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999277045
Publication number (International publication number)：2001102316
Application date： Sep. 29, 1999
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：

【要約】【課題】 高性能の発光ダイオードやLD等のデバイスを作製するための実用的な大きさのIII族窒化物結晶および半導体デバイスを提供し、また、このようなIII族窒化物結晶を成長させることの可能な結晶成長方法および結晶成長装置を提供する。【解決手段】 NaとGaの混合融液中107及び混合融液表面108で、窒素ガス或いは窒素ガスから供給された融液中の窒素成分とGaとが反応することで、継続的なGaN結晶が成長し、結晶サイズの大きなものを得ることが可能となる。

Claim (excerpt)：

反応容器内で、低融点かつ高蒸気圧の金属融液中あるいは金属融液表面において、少なくともIII族金属元素を含む物質と少なくとも窒素元素を含む物質とから、III族金属元素と窒素元素とにより構成されるIII族窒化物を結晶成長させることを特徴とする結晶成長方法。

IPC (4)：

H01L 21/208 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (4)：

H01L 21/208 D ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

F-Term (35)：

4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077CC10 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  5F041AA31 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA63 ,  5F041CA65 ,  5F041CA83 ,  5F053AA03 ,  5F053AA32 ,  5F053BB04 ,  5F053DD20 ,  5F053FF02 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053HH05 ,  5F053JJ01 ,  5F053JJ03 ,  5F053LL03 ,  5F053RR03 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073DA02 ,  5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開昭56-160400
  
• 特開昭50-149270
  
• III族窒化物結晶および結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-175577   Applicant：株式会社リコー
• 窒化物系化合物半導体レーザ素子及びレーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-237925   Applicant：シャープ株式会社
• 特開昭56-160400
  
• 特開昭50-149270
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ”Morphology and characterization of GaN single crystals grown in a Na flux”