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J-GLOBAL ID：200903051943275610
圧電体薄膜素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999044815
Publication number (International publication number)：2000244030
Application date： Feb. 23, 1999
Publication date： Sep. 08, 2000
Summary：
【要約】【課題】 圧電体薄膜の性能が向上し素子の信頼性が高い圧電体薄膜素子を提供する。【解決手段】 基板101上に下地膜、電極104、圧電体薄膜105を積層してなる圧電体薄膜素子において、下地膜を複数層102、103にて構成する。これにより、各下地膜に機能を分担させて素子の性能を向上する。たとえば、下地膜とその上層の膜との密着性や圧電体薄膜の緻密性を向上できる。
Claim (excerpt)：
基板と、基板上に順次形成した複数の下地膜と、下地膜上に形成した、圧電体を駆動する第1電極である導電体薄膜と、導電体薄膜上に形成した圧電体薄膜と、圧電体薄膜上に形成した少なくとも1つの第2電極とからなる圧電体薄膜素子。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 41/08 Z
, H03H 9/17 F
5J108AA07
, 5J108AA09
, 5J108BB04
, 5J108CC01
, 5J108CC04
, 5J108EE03
, 5J108EE04
, 5J108EE07
, 5J108KK01
, 5J108KK07
Cited by examiner (5)
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