半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：角田嘉宏 , 古川安航 , 西谷俊男 , 幅慶司 , 内山泉 , 是枝洋介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004065496
Publication number (International publication number)：2004253811
Application date： Mar. 09, 2004
Publication date： Sep. 09, 2004
Summary：

【課題】閾値電流が低く、しかも光の偏波面が制御された半導体発光素子、およびその製造方法の提供。【解決手段】本発明の半導体発光素子は、n型InP基板1と、このn型InP基板1上にストライプ状に形成された、n型InP下部クラッド層3、前記n型InP基板1に対して平行な方向の共振器を有している活性層4、およびp型InP上部クラッド層5を含むストライプ構造10とを備えている。このストライプ構造10は、凹部9が四角格子状に配列されたフォトニック結晶構造2を有しており、フォトニック結晶構造2の凹部9の配列方向と共振器方向とが同一となっている。また、共振器方向に延びるストライプ状の上部電極6がストライプ構造10上に形成されている。このように構成された本発明の半導体発光素子は、n型InP基板1に対して垂直な方向に光を放射する。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成された、下部クラッド層、前記半導体基板に対して平行な方向の共振器を有している活性層、および上部クラッド層を含む半導体積層体と、前記上部クラッド層に接続され、共振器方向に延びるストライプ状の上部電極と、前記下部クラッド層に接続される下部電極とを備え、前記半導体積層体は、複数の凹部または凸部が共振器方向に周期的に配列されたフォトニック結晶構造を有し、前記フォトニック結晶構造は、平面視において、少なくとも一部が前記上部電極と重ならず、しかも前記上部電極と共振器方向で並ぶように形成されており、前記上部電極と前記下部電極との間に所定の電圧を印加した場合に、前記フォトニック結晶構造の平面視において前記上部電極と重ならない領域から光を放射する、半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S5/18 , H01S5/343

FI (2)：

H01S5/18 , H01S5/343

F-Term (8)：

5F073AA11 , 5F073AA62 , 5F073AA74 , 5F073CA14 , 5F073CB02 , 5F073DA05 , 5F073EA22 , 5F073EA23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開昭63-177494
面発光型半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-135051 Applicant：株式会社島津製作所

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