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J-GLOBAL ID:200903051995777524

電界効果トランジスタ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995001237
Publication number (International publication number):1996191162
Application date: Jan. 09, 1995
Publication date: Jul. 23, 1996
Summary:
【要約】【目的】 有機半導体をチャネル部分に用いた電界効果トランジスタであって、有機半導体薄膜の高い移動度を実現する電界効果トランジスタを目的とする。【構成】 本発明は、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、有機半導体材料で構成されたチャネル部と、シアノ基を有する絶縁性ポリマーで構成されたゲート絶縁層とを有する電界効果トランジスタであり、有機半導体薄膜中の移動度を向上させ、その結果大きなドレイン電流を得ることができる。
Claim (excerpt):
ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、有機半導体材料で構成されたチャネル部と、シアノ基を有する絶縁性ポリマーで構成されたゲート絶縁層とを有する電界効果トランジスタ。
IPC (6):
H01L 51/00 ,  C08G 61/12 NLJ ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  C08F120/42 MNC
FI (4):
H01L 29/28 ,  H01L 29/78 301 Z ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 618 B
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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