化合物電界効果トランジスタおよびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999154276
Publication number (International publication number)：2000349096
Application date： Jun. 01, 1999
Publication date： Dec. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】高出力用途に適した化合物FETおよびその製造方法を提供する。【解決手段】半絶縁性表面を有する化合物半導体基板の一部に形成された第1導電型化合物半導体層からなる電荷吸収層と、電荷吸収層および半絶縁性表面の電荷吸収層が形成されていない領域を覆うようにエピタキシャル成長された第2導電型化合物半導体層からなる動作層を少なくとも含む半導体積層構造とを有し、半導体積層構造上に形成されたソース電極は、電荷吸収層と電気的に接続されている。電荷吸収層は、動作層で発生した電子-正孔対のうちキャリアとして機能しない電荷を吸収する。

Claim (excerpt)：

半絶縁性表面を有する化合物半導体基板と、前記化合物半導体基板の一部に形成された第1導電型化合物半導体層からなる電荷吸収層と、前記電荷吸収層および前記半絶縁性表面の前記電荷吸収層が形成されていない領域を覆うようにエピタキシャル成長された第2導電型化合物半導体層からなる動作層を少なくとも含む半導体積層構造と、前記電荷吸収層の上部に位置する前記半導体積層構造上に形成され、前記電荷吸収層と電気的に接続されたソース電極と、前記電荷吸収層が形成されていない領域の上部に位置する前記半導体積層構造上に形成されたドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成されたゲート電極と、を有する化合物電界効果トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

F-Term (20)：

5F102FA01 , 5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ05 , 5F102GK05 , 5F102GL05 , 5F102GM04 , 5F102GN05 , 5F102GR06 , 5F102GR13 , 5F102GR15 , 5F102GS02 , 5F102GT02 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

電界効果トランジスタ、及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-071380 Applicant：三菱電機株式会社
特開昭64-059961
特開昭56-054071

Show all

Return to Previous Page