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J-GLOBAL ID：200903052041770843

光電変換装置及び撮像装置

Inventor： 沖田 彰 ,  鈴木 敏
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 西山 恵三 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001152386
Publication number (International publication number)：2002353430
Application date： May. 22, 2001
Publication date： Dec. 06, 2002
Summary：

【要約】【課題】 素子分離用絶縁膜にLOCOS酸化膜を用いた場合に生じるリーク電流の発生の抑制と、フォトダイオードの開口率の向上をはかる。【解決手段】 第1導電型の半導体からなる領域を有する隣接する一対のフォトダイオードの間に設けられた第2導電型の半導体からなるチャネルストップ層と、前記チャネルストップ層の上に設けられた素子分離用絶縁膜と、前記フォトダイオードの表面に設けられ前記素子分離用絶縁膜より薄い絶縁膜と、を有する光電変換装置において、前記フォトダイオードと前記絶縁膜との界面と、前記チャネルストップ層と前記素子分離用絶縁膜との界面が、同一レベルの平面上にあり、前記第1導電型の半導体領域と前記チャネルストップ層とが互いに接している。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体からなる領域を有する隣接する一対のフォトダイオードの間に設けられた第2導電型の半導体からなるチャネルストップ層と、前記チャネルストップ層の上に設けられた素子分離用絶縁膜と、前記フォトダイオードの表面に設けられ前記素子分離用絶縁膜より薄い絶縁膜と、を有する光電変換装置において、前記フォトダイオードと前記絶縁膜との界面と、前記チャネルストップ層と前記素子分離用絶縁膜との界面が、同一レベルの平面上にあり、前記第1導電型の半導体領域と前記チャネルストップ層とが互いに接していることを特徴とする光電変換装置。

IPC (3)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (3)：

H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 A

F-Term (30)：

4M118AA01 ,  4M118AA02 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA06 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA05 ,  4M118EA16 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  5C024AX01 ,  5C024BX01 ,  5C024CX32 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GY31 ,  5C024HX01 ,  5C024HX23 ,  5F049MA02 ,  5F049MB02 ,  5F049NA05 ,  5F049NB05 ,  5F049PA10 ,  5F049PA14 ,  5F049QA04 ,  5F049QA14 ,  5F049SS03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 固体撮像装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-087380   Applicant：株式会社東芝
• 個体撮像装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-180087   Applicant：日本電気株式会社
• 特開昭57-150284