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J-GLOBAL ID:200903052048947242

集積回路素子の製造方法および製造装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 杉本 勝徳
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):1995518833
Publication number (International publication number):1997511097
Application date: Jan. 10, 1995
Publication date: Nov. 04, 1997
Summary:
【要約】集積回路素子を製造する方法であって、それぞれが多数のパッド部を備える複数の集積回路を、第1および第2の平坦面を有するウェファ上に形成する工程と、前記のウェファの両平坦面に保護材の層をウェファ方向に着合する工程と、予め外装処理された複数の集積回路素子の輪郭線に沿った切込み部を形成するため、前記の着合された保護材とウェファとを部分的に切刻する工程と、前記の外装処理された複数の集積回路素子がウェファ上で互いに結合している状態で、少なくともその一部分が前記切込み部まで伸長するような金属接触端子を前記の複数の集積回路素子上に形成する工程と、前記の外装された複数の集積回路素子を切断して個々の素子に分断する工程とから成る。また、その方法で生産される集積回路も開示およびクレームされている。
Claim (excerpt):
集積回路素子を製造する方法であって、 それぞれが多数のパッド部を備える複数の集積回路を、第1および第2の平坦面を有するウェファ上に形成する工程と、 前記のウェファの両平坦面に保護材の層をウェファ方向に着合する工程と、 予め外装処理された複数の集積回路素子の輪郭線に沿った切込み部を形成するため、前記の着合された保護材とウェファとを部分的に切刻する工程と、 前記の外装処理された複数の集積回路素子がウェファ上で互いに結合している状態で、少なくともその一部分が前記切込み部まで伸長するような金属接触端子を前記の複数の集積回路素子上に形成する工程と、 前記の外装された複数の集積回路素子を切断して個々の素子に分断する工程とから成る集積回路素子の製造方法。
IPC (3):
H01L 21/301 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (2):
H01L 21/78 A ,  H01L 23/30 D
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特開昭58-095862
  • 特表平7-508615
  • 半導体装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-211207   Applicant:ソニー株式会社
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