Pat

J-GLOBAL ID：200903052064756953

誘電体素子

Inventor： 芳賀 泰
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992149525
Publication number (International publication number)：1993343697
Application date： Jun. 09, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】 一般式ABO3で表わされるペロブスカイト結晶構造を有する酸化物誘電体が2つの電極によって挟まれた構造を有する誘電体素子に於て、残留分極Prを向上させ、かつ膜剥がれのない誘電体構造を提供する。【構成】 例えばPbZrXTi1ーXO3のようにA、B格子の少なくとも一方の格子を占める元素が2元素以上の混晶であり、前記混晶の組成比Xが前記2つの電極の少なくとも一方の電極の近くで前記誘電体中央部と異なることを特徴とする。例えば前記誘電体としてPbZrXTi1ーXO3を用いた場合、前記誘電体中央部では前記混晶組成比X=0.8とし、電極付近ではX=0.5とした3層構造とする。

Claim (excerpt)：

一般式ABO3で表わされるペロブスカイト結晶構造を有する酸化物誘電体が2つの電極によって挟まれた構造を有する誘電体素子に於て、前記A、B格子の少なくとも一方の格子を占める元素が2元素以上の混晶であり、前記混晶の組成比が前記2つの電極の少なくとも一方の電極の近くで前記誘電体中央部と異なることを特徴とする誘電体素子。

IPC (6)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108 ,  G11C 11/22 ,  G11C 14/00

FI (3)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 325 M ,  G11C 11/34 352 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-171976
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-252530   Applicant：株式会社東芝