Pat

J-GLOBAL ID：200903052065169296

量子細線及びこれを用いた素子

Inventor： 大嶋 卓 ,  西田 彰男 ,  村上 英一 ,  中川 清和
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992017448
Publication number (International publication number)：1993218391
Application date： Feb. 03, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【構成】単結晶基板10上の限られた領域に、基板に対して格子定数が0.2%から5%程度異なる単結晶膜11を配し、両者の界面のミスフィット転位12に沿って形成されるエネルギ準位15を用いた量子細線。また、この量子細線に電流注入取り出し用のソース,ドレイン電極とエネルギ準位変調用のゲート電極を設けた量子細線素子。【効果】特殊な微細加工技術無しに再現性良く形成され、かつ極低温を必要としない量子細線が得られる。また、形成方法が容易で、動作時に極低温を必要とせず極めて低消費電力でかつ高速動作する量子細線素子が得られる。

Claim (excerpt)：

複数種の半導体あるいは絶縁体材料が接合し、第一の材料と第二の材料との間に0.2% から5%程度の格子不整合のある系に於て、第一の材料と第二の材料とが接合する領域を、短辺が0.5μm から5μm、長辺がその2倍以上の長方形あるいはこれに類似の細長い形状に制限した構造とすることによって、両材料の界面に1ないし5本のミスフィット転位を持つことと、両材料の接合領域付近には不純物がドープされていないかあるいは有っても外部からの電位によってフェルミ準位が両材料の禁制帯の内部に有ることを特徴とする量子細線。

IPC (3)：

H01L 29/66 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/784