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J-GLOBAL ID：200903052134048420

ポリシロキサン、その製造方法およびプロトン伝導性材料

Inventor：
南 努

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辰巳砂 昌 弘

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忠 永 清 治

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松 田 厚 範

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Applicant, Patent owner：
南 努

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ジェイエスアール株式会社

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Agent (1)： 鈴木 俊一郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000289215
Publication number (International publication number)：2002097272
Application date： Sep. 22, 2000
Publication date： Apr. 02, 2002
Summary：
【要約】【課題】自立性のある膜材料となり、プロトン伝導性に優れ、高温乾燥雰囲気下でもプロトン伝導性の低下の小さいポリシロキサン、この製造法及びプロトン伝導性材料を提供する。【解決手段】下記一般式(1)で表されるシラン化合物(A)、下記一般式(2)で表されるシラン化合物(B)、およびリン酸および硫酸のうちから選ばれる少なくとも1種の酸成分(C)との混合物を、加水分解し縮合し、必要に応じて100〜300°Cで加熱処理することにより得られるポリシロキサン。R1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(式中、R1は1価の官能基、R2は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)R3bSi(OR2)4-b ・・・・・(2)(式中、R3は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアリール基を示し、R2は1価の有機基、bは0〜2の整数を示す。)上記ポリシロキサンからなるプロトン伝導性材料。
Claim (excerpt)：
下記一般式(1)で表されるシラン化合物(A)と、下記一般式(2)で表されるシラン化合物(B)と、リン酸および硫酸のうちから選ばれる少なくとも1種の酸成分(C)との混合物を、加水分解し縮合し、必要に応じて100〜300°Cで加熱処理することにより得られることを特徴とするポリシロキサン。R1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(式中、R1は1価の官能基、R2は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)R3bSi(OR2)4-b ・・・・・(2)(式中、R3は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基またはアリール基を示し、R2は1価の有機基、bは0〜2の整数を示す。)
IPC (3)：
C08G 77/08 ,  H01B 1/06 ,  H01B 1/12
FI (3)：
C08G 77/08 ,  H01B 1/06 A ,  H01B 1/12 Z
F-Term (23)：
4J035BA01 ,  4J035BA11 ,  4J035CA001 ,  4J035CA072 ,  4J035CA092 ,  4J035CA112 ,  4J035CA132 ,  4J035CA142 ,  4J035CA152 ,  4J035CA182 ,  4J035CA202 ,  4J035CA262 ,  4J035CA27N ,  4J035CA272 ,  4J035EA01 ,  4J035EB02 ,  4J035EB03 ,  4J035HA06 ,  4J035LA05 ,  4J035LB20 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5G301CE01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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