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J-GLOBAL ID：200903052185712147

半導体装置

Inventor： 狩野 隆司
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994253784
Publication number (International publication number)：1996125275
Application date： Oct. 19, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 広く、滑らかな劈開面が容易に得られる基板を用いることで品質の安定,特性の向上を図る。【構成】 α面のα-SiC基板1の表面にn型のGaN層2等の窒化ガリウム系化合物層をエピタキシャル成長させ、c軸方向と直交する方向(c面)に沿って劈開する。

Claim (excerpt)：

α-SiC基板と、該α-SiC基板のa面又はこれとなす角度が10度以内の傾斜面に形成した複数の窒化カリウム系化合物半導体層とからなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-021159   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (1)

• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-021159   Applicant：株式会社東芝