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J-GLOBAL ID：200903052213338485

Ge薄膜の成膜方法

Inventor： 山本 雅司 ,  半那 純一
Applicant, Patent owner： セントラル硝子株式会社
Agent (1)： 坂本 栄一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994007218
Publication number (International publication number)：1995211653
Application date： Jan. 26, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 熱CVD法により薄膜デバイスに用いるGe薄膜を基板上に選択的に成膜する。【構成】 GeF4 とシランガス(Sin H2n+2,nは1〜3の整数)を300〜500°Cの温度範囲で、かつ流量比0.006〜0.2の範囲で供給する。

Claim (excerpt)：

GeF4 とシランガス(Sin H2n+2,nは1〜3の整数)の混合ガスを、300〜500°Cの温度範囲でSi基板上に供給することによりGe薄膜を選択的に堆積させることを特徴とするGe薄膜の成膜方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/14 ,  G03G 5/08 317 ,  G03G 5/08 360

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 薄膜の製膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-030481   Applicant：セントラル硝子株式会社