薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長南満輝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004378475
Publication number (International publication number)：2006186119
Application date： Dec. 28, 2004
Publication date： Jul. 13, 2006
Summary：

【課題】真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜を有する薄膜トランジスタの製造に際し、加工精度を良くする。【解決手段】まず、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜8の上面中央部に中央保護膜9を形成し、その上にn型酸化亜鉛からなるオーミックコンタクト層10、11および上面保護膜12、13を形成し、その上に上層絶縁膜16を成膜する。次に、上層絶縁膜16および上面保護膜12、13にコンタクトホール14、15を形成する。この場合、チャネル長Lは中央保護膜9の所定方向の寸法により決定され、チャネル幅Wはコンタクトホール14、15の所定方向の寸法により決定される。これにより、半導体薄膜8にサイドエッチングがやや生じても、チャネル長Lおよびチャネル幅Wに寸法変化が生じることはない。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体薄膜と、該半導体薄膜の一面に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜を介して前記半導体薄膜に対向して形成されたゲート電極と、前記半導体薄膜上に前記半導体薄膜のチャネル領域上で分離して形成され、前記半導体薄膜の端面を完全に覆って形成された一対のオーミックコンタクト層と、前記各オーミックコンタクト層にそれぞれ接続されたソース電極およびドレイン電極と、を具備することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2)：

H01L29/78 616K , H01L29/78 618B

F-Term (31)：

5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110GG04 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110NN02 , 5F110NN12 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110QQ04 , 5F110QQ05 , 5F110QQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-223042 Applicant：ミノルタ株式会社

Cited by examiner (2)

表示素子用基板およびその製造方法並びにその製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-205032 Applicant：シャープ株式会社
特開昭61-145582

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