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J-GLOBAL ID：200903091953026962

半導体素子及びその製造方法

Inventor： 北村 健
Applicant, Patent owner： ミノルタ株式会社
Agent (1)： 佐野 静夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001223042
Publication number (International publication number)：2003037268
Application date： Jul. 24, 2001
Publication date： Feb. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】 半導体活性層の可視光の吸収を防止することができるとともに、薄膜トランジスタと発光素子とを容易に形成することができる半導体素子を提供する。【解決手段】 基板1上に形成された発光素子10は、ZnOから成る下部電極2上にn型のZnOから成るn型発光層3及びp型のZnOから成るp型発光層4を形成し、p型発光層4上にITOから成る上部電極5を形成する。発光素子10をスイッチングする薄膜トランジスタ20は、ZnOから成るゲート11上にSiO2から成る絶縁層12を介してi型のZnOから成る半導体活性層13を形成し、半導体活性層13上にn型のZnOから成るコンタクト層14を介してITOから成るドレイン15及びソース16を形成する。

Claim (excerpt)：

可視光を透過する半導体活性層を有した薄膜トランジスタと、前記半導体活性層と主成分が同じ発光層を有する発光素子とを同一の基板上に形成したことを特徴とする半導体素子。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 33/00

FI (4)：

G09F 9/30 338 ,  H01L 33/00 A ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 613 Z

F-Term (61)：

5C094AA31 ,  5C094BA03 ,  5C094BA29 ,  5C094CA19 ,  5C094DA14 ,  5C094DA15 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA07 ,  5C094EB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5F041AA42 ,  5F041BB26 ,  5F041CA02 ,  5F041CA12 ,  5F041CA46 ,  5F041CA55 ,  5F041CA57 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CB13 ,  5F041CB33 ,  5F041DB08 ,  5F041FF06 ,  5F041FF14 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG04 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK11 ,  5F110HK21 ,  5F110HK35 ,  5F110NN12 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• トランジスタ及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-326889   Applicant：科学技術振興事業団
• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-045311   Applicant：株式会社村田製作所