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J-GLOBAL ID：200903052294986699

FET等価回路モデル・パラメータの決定方法

Inventor：
ロジャー・スー-チュン・ツァイ

About ロジャー・スー-チュン・ツァイ


Applicant, Patent owner：
ティーアールダブリュー・インコーポレーテッド

About ティーアールダブリュー・インコーポレーテッド


Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001047656
Publication number (International publication number)：2001318118
Application date： Feb. 23, 2001
Publication date： Nov. 16, 2001
Summary：
【要約】【課題】固有及び寄生成分を一意に抽出する。【解決手段】FETモデル開発の際、等価回路のパラメータの集合を生成するため、デバイスに関連するS-パラメータ値集合を測定し、回路モデルを生成する(102〜108)。次いで回路モデルに対して試行インピーダンス点Rsを規定し(110)、該点毎に、モデルS-パラメータ値を抽出し(112)、抽出されたモデル・パラメータからモデル化S-パラメータを計算し(114)、測定S-パラメータと比較する(118)。そして、試行インピーダンス点毎に、モデル化S-パラメータ値を最適化し(122)、最適化S-パラメータ値と測定S-パラメータ値との間の誤差度を計算し(124)、誤差度が最小となった試行インピーダンス点及びモデル・パラメータ点を選択する(126)ことによって、FETデバイスに関する等価回路パラメータの集合を決定する。
Claim (excerpt)：
FETデバイスに関する等価回路パラメータの集合を生成する方法であって、FETデバイスに関連するS-パラメータ値集合を測定するステップと、FETデバイスの回路モデルを生成するステップと、FET回路モデルに対して試行インピーダンス点を規定するステップと、FET回路モデルに対する各試行インピーダンス点毎に、モデルS-パラメータ値を抽出するステップと、各試行インピーダンス点毎の回路モデルに対する抽出されたモデル・パラメータから、モデル化S-パラメータを計算するステップと、各試行インピーダンス点毎に、モデル化S-パラメータを測定S-パラメータと比較するステップと、各試行インピーダンス点毎に、モデル化S-パラメータ値を最適化するステップと、各試行インピーダンス点毎に、最適化S-パラメータ値と測定S-パラメータ値との間の誤差度を計算するステップと、誤差度が最小となった試行インピーダンス点及びモデル・パラメータ点を選択することによって、FETデバイスに関する等価回路パラメータの集合を決定するステップとからなることを特徴とする方法。
IPC (3)：
G01R 31/26 ,  H01L 29/00 ,  G06F 17/50 662
FI (3)：
G01R 31/26 B ,  H01L 29/00 ,  G06F 17/50 662 G
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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