半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山下穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996243087
Publication number (International publication number)：1998056180
Application date： Sep. 13, 1996
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】低温で良質の絶縁層を形成することが困難。【解決手段】絶縁基板1の絶縁面に半導体層4を形成し、該半導体層4の該絶縁面側と反対側の表面よりエキシマレーザーにより前記半導体層の第1の領域を改質して絶縁層13として形成した。

Claim (excerpt)：

絶縁面に半導体層を形成し、該半導体層の該絶縁面側と反対側の表面よりエキシマレーザーにより前記半導体層の第1の領域を改質して絶縁層として形成したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/268

FI (7)：

H01L 29/78 627 F , H01L 21/20 , H01L 21/268 Z , H01L 29/78 617 V , H01L 29/78 617 U , H01L 29/78 619 A , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

絶縁膜の製造方法及びこの絶縁膜を使用する半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-123018 Applicant：右高正俊, 東亞合成株式会社
半導体装置の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-181912 Applicant：ソニー株式会社
特開平2-237161

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