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J-GLOBAL ID：200903052362440063

エッチング方法並びにナノデバイスの作製方法

Inventor： 八井 崇 ,  崔 允辰 ,  興梠 元伸 ,  大津 元一
Applicant, Patent owner： 独立行政法人 科学技術振興機構
Agent (1)： 小池 晃
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002338337
Publication number (International publication number)：2004172482
Application date： Nov. 21, 2002
Publication date： Jun. 17, 2004
Summary：

【課題】光湿式化学エッチングする領域をナノスケールオーダで自在に選択する。【解決手段】エッチング溶液を試料3と接触させることにより、光湿式化学エッチングを進行させつつ、光の偏光方向を1/2波長板14により制御してこれを試料3表面へ照射することにより、光湿式化学エッチングする領域をナノスケールオーダで自在に選択する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

エッチング溶液により試料表面に対して光湿式化学エッチングするエッチング方法において、 上記試料表面へ光を照射し、 上記照射する光の偏光方向を制御すること を特徴とするエッチング方法。

IPC (2)：

H01L21/306 ,  B81C1/00

FI (2)：

H01L21/306 B ,  B81C1/00

F-Term (2)：

5F043DD08 ,  5F043DD14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭59-165428
  
• 特開平3-094986
  
• 光励起電解研磨法による貫通孔形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-012502   Applicant：株式会社フジクラ
• 特開昭60-160129