アモルファス「テフロン」(登録商標)のエッチングおよびパターン作成

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅村皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994290084
Publication number (International publication number)：1996144071
Application date： Nov. 24, 1994
Publication date： Jun. 04, 1996
Summary：

【要約】【目的】アモルファス「テフロン」(TFE AF)を有する装置とその製造法を提供する。【構成】前記TFE AFを有する装置は、基板と、前記基板の上のTFEAF層と、前記TFE AF層の上の半導体層とを有する。この装置は電子装置または光電子装置であることができ、および前記半導体層は金属または他の材料であることができる。

Claim (excerpt)：

(イ) 基板の上にアモルファス「テフロン」(TFE AF)層を被着する段階と、(ロ) 前記TFE AF層を乾式エッチングする段階と、を有する、TFE AF層を装置の中に作成する方法。

IPC (3)：

C23F 4/00 , C09D127/18 PFG , H01L 21/302

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

誘電体媒質に開口を作成する方法、基板の上に設けられた誘電率の低い層に開口を作成する方法、多重チップ・モジュールのフルオロカーボン重合体層の上にウィンドウを作成する方法、誘電体層のバイア面の周りに形成された誘電体の稜部を取り除く方法、誘電体層に開口を作成する方法、誘電体オーバレイ、オーバレイ、及び集積回路チップのための回路パッケージ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-013343 Applicant：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
特開平3-175634
密着層、密着層の形成方法、配線構造および配線構造の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-068570 Applicant：沖電気工業株式会社

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