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J-GLOBAL ID：200903052382884642

基板上の膜堆積均一性を改善する方法及び装置

Inventor： エイチ. ピーター ダブリュー. ヘイ ,  ヴェダプラム エス. アチュタラマン ,  ヨハンス エフ. エヌ. スウェンバーグ
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998169123
Publication number (International publication number)：1999087270
Application date： May. 13, 1998
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 基板上に膜を堆積するための方法と装置を提供する。【解決手段】本発明によれば、プリウェーハ反応層が、反応チャンバ内に配置されたサセプタ上へ堆積して、膜堆積前にプリウェーハ反応層に被覆されたサセプタを形成する。引き続き、堆積ガスが反応チャンバに供給され、その結果、プリウェーハ反応層に被覆されたサセプタ上と基板上をガスが流れ、プリウェーハ反応層に被覆されたサセプタ上と基板上に膜を形成する。

Claim (excerpt)：

基板に隣接するプリウェーハ反応層を形成するステップと、前記プリウェーハ反応層の上及び前記基板の上に堆積ガスを流し、前記プリウェーハ反応層及び前記基板上に前記膜を堆積するステップと、を含む基板上に膜を形成する方法。

IPC (3)：

H01L 21/285 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205

FI (3)：

H01L 21/285 C ,  C23C 16/44 A ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 薄膜製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-177092   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド